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為什么在儲能變流器PCS中SiC碳化硅MOSFET會加速替代IGBT!
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅儲能變流器PCS!-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷 使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT儲能變流器PCS,實現(xiàn)超高的儲能變流器PCS平均效率,更小的儲能變流器PCS體積重量!更低的儲能變流器PCS成本!更高的儲能變流器PCS功率密度! 隨著銅價暴漲高燒不退,如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點,使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊,可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本(電感磁性元件,散熱系統(tǒng),整機重量),電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代,未來已來!傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET! 傾佳電子(Changer Tech)致力于基本公司國產碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market! 基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于各類儲能變流器PCS,比如電站集中式儲能變流... [詳細介紹] |