傳統(tǒng)的超結(jié)結(jié)器件深槽外延制造工藝,由于其開關(guān)軟度不夠,容易出現(xiàn)開關(guān)振蕩并引發(fā)電磁干擾(EMI)問題。安海半導(dǎo)體發(fā)明的超結(jié)產(chǎn)品具有專利技術(shù)的制程和器件結(jié)構(gòu)設(shè)計,對多層外延工藝進行了優(yōu)化,提升了器件開關(guān)的軟度并改善了外延缺陷密度,解決了傳統(tǒng)超結(jié)結(jié)的EMI和外延缺陷可靠性的問題,其高開關(guān)頻率接近昂貴的GaN器件,而成熟的Si材料使得安海超結(jié)具備極高的可靠性。
650V-1500V高壓MOS